杂质浓度怎么转换成电阻率

电阻率与杂志浓度的关系图如何读

电导率和电阻率 电流密度： 对于一段长为l，截面面积为s，电阻率为ρ的均匀导体，若施加以电压V，则导体内建立均匀电场E，电场强度大小为： 对于这一均匀导体，有电流密度： 半导体的电阻率和电导率 右图所 示为N型和P型硅单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。 右图所示为N型和P型锗、砷化镓以及磷化镓单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。 电阻率（电导率）同时受载流子浓度（杂质浓度）和迁移率的影响，因而电阻率和杂质浓度不是线性关系。 对于非本征半导体来说，材料的电阻率（电导率）主要和多数载流子浓度以及迁移率有关。 杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线

电阻率怎么计算的 求详解！！！

对同一种物质来说，在相同的条件下：电阻率是不变的，也就是说，它只与导体的种类（如铜，铝）物体的温度有关，而与物体的形状（如长度，横截面积等）无关的。因为它是描述物质导电能力的。 R=p*l/s 这个公式说的是在相同的条件下，导体的电阻与长度 、横截面积,电阻率的关系，主要是用来求电阻的， 打个比方： 电阻就像化学中物质的量，而电阻率相当于物质的量浓度。物质的量浓度只与是哪 种溶液有关，而与它的体积没有关系的，你说，一瓶子Cu2SO4溶液，我从中取出一试管，它的物质的量浓度变了吗，没有，我想这你能理解吧。但它的物质的量变了。 同样，一块铜导线，你剪掉一半，让它变细，改变的只是它的电阻的大小，而不

如何计算电阻率？公式是什么？

电阻率的计算公式为：ρ＝RS/L。

在上式中

1、ρ为电阻率，单位为欧姆·厘米

2、 R为电阻值，单位为欧姆

3、 s为横截面积，单位为平方厘米

4、 L为导线的长度，单位为厘米

扩展资料

电阻率不仅与材料种类有关，而且还与温度、压力和磁场等外界因素有关。金属材料在温度不高时，ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρt与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率；a是电阻率的温度系数，与材料有关。

锰铜的a约为1×10-5/℃(其数值极小)，用其制成的电阻器的电阻值在常温范围下随温度变化极小，适合于作标准电阻。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后，可制成电阻式温度计来测量温度。半导体材料的α一般是负值且有较大的量值。制成的电阻式温度计具有较高的灵敏度。

在半导体材料中加入其他杂质能改变电阻率吗电阻率变小

半导体中杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等

电阻率与迁移率关系

电阻率与迁移率关系：电阻率决定于载流子的浓度和迁移率。电阻率决定于载流子的浓度和迁移率，两者均与杂质浓度和温度有关，故电阻率是杂质浓度和温度的函数。