场效应管的输入电阻和晶体三极管相比，正确关系是 。

场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管的基射极间的输入电阻大还是小？

您好：场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管的基射极间的输入电阻大。场效应管是电压控制器件，晶体三极管是电流控制器件，如果是绝缘栅的场效应管，其输入电阻更高和普通晶体管不是一个数量级的。希望对您有帮助。

场效应管跟晶体管有什么区别，应用时应该注意哪些

场效应管 VS 晶体管 ： 1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。 3．场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况

三极管和场效应管的区别

1、场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。

2、场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。

3、场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。

4、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流。场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。

5、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。而场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子。

扩展资料

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。

场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。

参考资料：百度百科——三极管百度百科——场效应管

三极管 和 场效应管 有什么不同？在电路中的作用分别是什么？

三极管，全称为“半导体三极管”，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

场效应管，全称为“场效应晶体管”，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

场效应管是在三极管的基础上开发出来的，两者的区别主要在于以下几点：

1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种 载流子。
2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流 ；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。
3、三极管输入阻抗小；场效应管输入阻抗大。
4、有些场效应管源极和漏极可以互换；三极管集电极和发射极不可以互换。
5、场效应管的频率特性不如三极管 。
6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。
7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。

8、三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。

场效应管和三极管比较各有什么优缺点

一、优点：

1、场效应管：具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

2、三极管：晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。

二、缺点：

1、场效应管：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小。

2、三极管：晶体三极管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

扩展资料：

场效应管的沟道形成原理：

当Vgs=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压，不会在D、S间形成电流。

当栅极加有电压时，若0＜Vgs＜Vgs(th)时（VGS(th) 称为开启电压），通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。

进一步增加Vgs，当Vgs＞Vgs(th)时，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层（inversion layer）。随着Vgs的继续增加，ID将不断增加。

在Vgs=0V时ID=0，只有当Vgs＞Vgs(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。

参考资料来源：

百度百科-场效应管

百度百科-三极管