电阻阻值的温度变化的可以用Arrhenius 公式来描述吗？

什么是Arrhenius方程

由瑞典的阿伦尼乌斯所创立的化学反应速率常数随温度变化关系的经验公式。公式写作 k=Ae（⁻ᴱᵃ/ᴿᵀ）（指数式）。k为速率常数，R为摩尔气体常量，T为热力学温度，Ea为表观活化能，A为指前因子（也称频率因子）。

该定律除对所有的基元反应适用外，对于一大批（不是全部）复杂反应也适用。

扩展资料

化学反应的类型是比较多的，温度对反应速率的影响也是相当复杂的，并非所有的化学反应都符合Arrhenius经验公式。但对于最常见的简单反应来说，化学反应速率通常随温度的升高而加快，而且成指数关系，可以用Arrhenius公式来定量描述。

本公式虽然最初是从气相反应中总结出来的，但同样适用于液相反应和复相催化反应。另外，本公式不仅适用于基元反应，而且对于复杂反应中的任一基元反应也是适用的。

同时，对于某些复杂反应来说，只要其速率公式满足

或

的形式，仍可以运用本公式来描述k与T的关系，只不过此时公式中指数前因子和活化能已不再具有简单反应那样明确的意义，而可能是组成该复杂反应的各个简单反应的指前因子或活化能的某种组合。

参考资料来源：百度百科-阿累尼乌斯方程

参考资料来源：百度百科-阿伦尼乌斯公式

阿累尼乌斯方程是什么？

阿累尼乌斯方程是k=Ae-Ea/RT。

阿伦尼乌斯公式（Arrhenius equation）是由瑞典的阿伦尼乌斯所创立的化学反应速率常数随温度变化关系的经验公式。

公式写作k=Ae-Ea/RT（指数式）。k为速率常数，R为摩尔气体常量，T为热力学温度，Ea为表观活化能，A为指前因子（也称频率因子）。

该定律除对所有的基元反应适用外，对于一大批（不是全部）复杂反应也适用。

应用性

化学反应的类型是比较多的，温度对反应速率的影响也是相当复杂的，并非所有的化学反应都符合Arrhenius经验公式。但对于最常见的简单反应来说，化学反应速率通常随温度的升高而加快，而且成指数关系，可以用Arrhenius公式来定量描述。

本公式虽然最初是从气相反应中总结出来的，但同样适用于液相反应和复相催化反应。

另外，本公式不仅适用于基元反应，而且对于复杂反应中的任一基元反应也是适用的。

什么是Arrhenius方程? 这是温度与反应速率的关系的一个公式,辛苦了.

阿伦尼乌斯方程,化学反应速率常数随温度变化关系的经验公式.公式写作k=Ae－Ea/RT.k为速率常数,R为摩尔气体常量,T为热力学温度,Ea为表观活化能,A为指前因子(也称频率因子).也常用其另外一种形式：lnk=lnA—Ea／RT.据此式作实验数据的lnk～1／T图为一直线,由斜率可得表观活化能Ea,由截距可得指前因子A

电阻与温度关系公式

1、电阻温度换算公式： R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 。

计算值 80 A t1-----绕组温度 T------电阻温度常数(铜线取235，铝线取225) t2-----换算温度(75 °C或15 °C) R1----测量电阻值 R2----换算电阻值。

2、在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ=ρ0(1+αt)，式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。

由于α比金属的线膨胀显著得多( 温度升高 1℃ ， 金属长度只膨胀约0.001%) ，在考虑金属电阻随温度变化时 ， 其长度 l和截面积S的变化可略，故R = R0 (1+αt)，式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。

3、电阻温度系数表示电阻当温度改变1度时，电阻值的相对变化，单位为ppm/℃。有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。

当温度每升高1℃时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值，叫做电阻温度系数，它的单位是1代，其计算公式为 α=(R2-R1)/R1(t2--t1) 式中R1--温度为t1时的电阻值。

Ω; R2--温度为t2时的电阻值，Ω。

扩展资料：

电阻和温度的关系：

导体的电阻与温度有关。纯金属的电阻随温度的升高电阻增大，温度升高1℃电阻值要增大千分之几。碳和绝缘体的电阻随温度的升高阻值减小。

半导体电阻值与温度的关系很大，温度稍有增加电阻值减小很大。有的合金如康铜和锰铜的电阻与温度变化的关系不大。

对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说，它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射，与温度具有很强的相关性。实际的金属由于工艺的影响，造成它的晶格结构不再完整。

例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在，电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。因此，实际的金属电阻率是由相互独立的两部分组成。

电阻随温度变化的这几种情况都很有用处。利用电阻与温度变化的关系可制造电阻温度计，铂电阻温度计能测量—263℃到1000℃的温度，半导体锗温度计可测量很低的温度。

康铜和锰铜是制造标准电阻的好材料。
例如：电灯泡的灯丝用钨丝制造，钨的电阻随温度升高而增大，温度升高1℃电阻约增大千分之五。灯丝发光时温度约2000℃，所以，电阻值约增大10倍。

灯丝发光时的电阻比不发光时大得多，刚接通电路时灯丝电阻小电流很大，用电设备容易在这瞬间损坏。

参考资料来源：百度百科-电阻温度系数

电阻和温度的关系？

金属导体温度越高，电阻越大，温度越低，电阻越小。

超导现象:当温度降低到一定程度时，某些材料电阻消失。

电阻温度换算公式： R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 计算值 80 A t1-----绕组温度 T------电阻温度常数(铜线取235，铝线取225) t2-----换算温度(75 °C或15 °C) R1----测量电阻值 R2----换算电阻值。

在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ=ρ0(1+αt)，式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。

由于α比金属的线膨胀显著得多( 温度升高 1℃ ， 金属长度只膨胀约0.001%) ，在考虑金属电阻随温度变化时 ， 其长度 l和截面积S的变化可略，故R = R0 (1+αt)，式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。

扩展资料：

电阻温度系数表示电阻当温度改变1度时，电阻值的相对变化，单位为ppm/℃。有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。

当温度每升高1℃时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值，叫做电阻温度系数，它的单位是1代，其计算公式为 α=(R2-R1)/R1(t2--t1) 式中R1--温度为t1时的电阻值，Ω; R2--温度为t2时的电阻值，Ω。

电阻温度系数并不恒定而是一个随着温度而变化的值。随着温度的增加，电阻温度系数变小。因此，我们所说的电阻温度系数都是针对特定的温度的。

对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说，它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射，与温度具有很强的相关性。

实际的金属由于工艺的影响，造成它的晶格结构不再完整，例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在，电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。因此，实际的金属电阻率是由相互独立的两部分组成。

参考资料：百度百科——电阻温度系数