用霍尔电压测量磁场实验中霍尔电压可以为负吗

霍尔芯片在磁场的照射下会在两边产生的电压用途是什么？有正负极吗？

霍尔芯片产生的电压是用来作为传感器信号使用，只要是电压就会有电位差，高电位看作正，低电位看做负。

试验中有哪些霍尔元件的负效应对霍尔电压有影响

测磁感应强度实验中，在产生霍尔效应时还产生哪些副效厄廷好森效应引起的电势差UE，由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动,速度大的电子回转半径大，能较快地到达接点3的侧面，从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子。

霍尔元件为一半导体材料片，通过此材料片施加一个恒定电压既可形成一个恒定偏移电流。如果无磁场，其输出即通过半导体材料片宽度的电压，理论上读数近于0；如果此偏斜的霍尔元件位于与霍尔电流成直角的磁场里，则电压输出与磁场强度成正比。

扩展资料：

霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转所产生的。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累，从而形成附加的横向电场。

若在方向通以电流，在方向（垂直纸面向外）加磁场，则在方向即试样、电极两侧就开始积累异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移的。当载流子所受的横向电场力与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡。

参考资料来源：百度百科-霍尔效应实验

能否用霍尔元件测量交变磁场

可以。

必须使用霍尔元件的线性区，测量才比较准确。因为霍尔元件的输出电压=输入电流*磁场强度，也就是说：磁场强度的改变，必然反映到输出电压上。

依据霍尔效应原理，UH=KHISB 即：霍尔电势差UH与电流IS及磁感应强度B成正比。Is为激励电流，是直流电流。KH为灵敏度常数。注意，磁感应强度B是指与激励电流Is方向垂直的磁场分量。 霍尔电势可以实时反映交变磁场的磁感应强度的大小和极性。

扩展资料：

如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。

由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。

参考资料来源：百度百科-霍尔元件

利用霍尔效应测磁场实验两个问题

1.霍尔效应的本质是： 固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。大量的研究揭示：参加材料导电过程的不仅有带负电的电子，还有带正电的空穴。 2.霍尔电压与磁场成正比 因此实验测得的数据处理更为重要 而精确的数据只要通过较为精密的仪器（当然，电压表选高内阻的，霍尔件等效内阻也要小）测量即可 数据处理时只要用传统的描点法作图，取出不准确的点

霍尔电压是多少呢?

霍尔电压是5-24V。

不同霍尔传感器的温度特性不一样，如inas材料的传感器温度升高，输出电压变化平稳，基本是增大的，而insb材料的传感器则恰恰相反，随温度生高，输出电压是降低的。

以A3144e为例，工作电压 24V，输出反向击穿电压Vce50V，输出低电平电流IOL50mA，工作环境温度TAE档，-20-85℃，L档，-40-150℃。贮存温度范围TS65-150 ℃。

霍尔的电压是一个通有电流I的长方体形白金导体垂直于磁力线放入磁感应强度为B的磁场中时，在白金导体的两个横向侧面上就会产生一个垂直于电流方向和磁场方向的电压UH，当取消磁场时，电压立即消失。该电压后来称为霍尔电压，UH与通过白金导体的电流I和磁感应强度B成正比。