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半导体物理作业，急

教育综合
2024-06-08 17:44:24

急求解一道半导体物理方面的题~谢谢了！望半导体物理方面牛人解答！

1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3) 2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV 3.为了得到肖特基结，要求P型半导体满足Wm半导体物理T=77k 低温弱电离 n0=[(NdNc/2)^(1/2)]exp(△ED/2k0T) Nc正比于T^3/2 △ED=0.044eV T=300k 强电离区 n0=Nd； T=500k 过渡区 ni^2=n0*p0; n0=Nd+p0联立求解； T=800k 高温本征区 n0=p0=ni>>Nd

物理作业！急急急！

1.电阻率横截面积长度 2.变小变暗温度升高电阻变大变大温度降低电阻变小 3.半导体

半导体工作原理

.1 半导体物理基础本章从半导体器件的工作机理出发,简单介绍半导体物理基础知识,包括本征半导体,杂质半导体,PN结;分别讨论晶体二极管的特性和典型应用电路,双极型晶体管和场效应管的结构,工作机理,特性和应用电路,重点是掌握器件的特性. 媒质导体:对电信号有良好的导通性,如绝大多数金属,电解液,以及电离气体. 绝缘体:对电信号起阻断作用,如玻璃和橡胶,其电阻率介于108 ~ 1020 ·m. 半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间,如硅 (Si) ,锗 (Ge) 和砷化镓 (GaAs) . 半导体的导电能力随温度,光照和掺杂等因素发生显著变化,这些特点使它们成为制作半导体元器件的重要材料. 4

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