硅碳负极材料用烧结炉与CVD 炉的区别
- 教育综合
- 2024-12-05 17:44:31
硅碳负极电池优缺点?
随着电池电极材料的发展,锂离子电池技术发展迅速。目前,锂钴电池已经扩展到三元体系、锰酸锂、磷酸亚铁锂、硅碳阳极等电池体系。新型硅碳负极锂离子电池突破了石墨作为负极的固有局限,性能明显优于传统锂离子电池。它已经成为最有前途的储能电池之一。可见,阳极材料烧结炉是阳极材料烧结设备的重要组成部分。江苏谷峰节能科技有限公司研发的负极材料烧结炉主要用于工业原料,尤其是锂电池负极材料的烧结实验。该设备结构紧凑,加热速度快,密封性能好,炉温均匀,烧结效果好,设计新颖,操作简便。负极烧结炉系列产品的核心优势是内胆设计可更换,可满足不同材质的测试要求。负极材料烧结炉适用于实验室检测机构、大专院校、科研院所、工矿企业的测试或小批量生产,尤其适用于硅碳负极材料。烧结试验是该产品的最佳选择。硅碳负极材料锂电池是锂电池中的“奇葩”——安全稳定。由于硅碳负极材料具有较高的嵌锂电位,在烧结过程中避免了锂金属的形成和析出,又由于平衡电位高于大多数电解质溶剂的还原电位,不会与电解质在固液界面形成钝化膜,避免了许多副反应,大大提高了安全性、安全性和稳定性,这些都是锂材料烧结过程中最重要的指标。江苏谷峰节能科技有限公司高级工程师这样说道。长循环寿命与锂离子电池常用的石墨材料相比,硅碳负极材料在充放电过程中的嵌锂和脱锂过程中几乎不收缩也不膨胀。这种材料被称为“零应变”材料,避免了锂离子去除或嵌入时电池体积应变对电极结构的破坏。循环性能良好。根据实验数据,磷酸铁锂电池的平均循环寿命为5500-7000次,而硅碳负极电池的平均循环寿命在30000次以上。良好的耐温性一般来说,电动车在-5℃都有充放电问题。硅碳负极电池具有良好的耐温性和耐久性。能在-50摄氏度到80摄氏度正常充放电。无论在严寒的北方还是炎热的南方,车辆都不会受到电池的“冲击”,用户的后顾之忧也就消除了。正是因为这些优点,硅碳负极电池成为锂离子电池技术发展中一朵耀眼的“奇葩”。降低成本的技术改造为了满足电动汽车动力电池的需求,开发了原厂硅碳负极锂电池。虽然先进的硅碳负极电池企业已经开始进入电能存储领域,但是还没有专门针对大规模储能应用设计的钛酸锂电池。“硅碳负极电池大规模应用面临的主要问题是成本。项目初期,其价格是磷酸铁锂电池的4-6倍。杨凯说,硅碳负极电池的价格仍然很高。虽然性能明显优于现有的锂离子电池,但经济因素很大。推动了钛酸锂电池在市场上的普及。因此,要实现大规模储能应用,必须对现有的电动汽车用钛酸锂电池进行改造,包括材料体系、电池设计、生产工艺等方面的技术改造,以保证硅碳负极电池长寿命的固有特性,并大幅降低成本。
各位高手们,请问PVD与CVD的区别
PVD: 用物理方法(如蒸发、溅射等),使镀膜材料汽化在基体表面,沉积成覆盖层的方法。 CVD: 用化学方法使气体在基体材料表面发生化学反应并形成覆盖层的方法。 区别: 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。 与之相对的是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,简称CVD),指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散刀片的涂层有CVD和PVD两种,两者的区别是什么?
刀片的涂层有CVD和PVD两者的区别从方式,薄厚温度和运用三方面来看。
一,从方式看区别
CVD是化学气相沉积的方式。
PVD是物理气相沉积法的方式。
二,薄厚温度
CVD处理的温度为900℃~1100℃,涂层厚度可达5~10μm。
PVD处理的温度为500℃,涂层厚度为2~5μm,比CVD薄。
三,从运用看区别
CVD法适合硬质合金。
PVD法适用于高速钢刀具。
扩展资料:
刀具涂层制备技术可分为化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)两大类。CVD技术可实现单成分单层及多成分多层复合涂层的沉积,涂层与基体结合强度较高,薄膜厚度较厚,可达7~9μm,具有很好的耐磨性。
但CVD工艺温度高,易造成刀具材料抗弯强度下降;涂层内部呈拉应力状态,易导致刀具使用时产生微裂纹。CVD技术主要用于硬质合金可转位刀片的表面涂层。
与CVD工艺相比,PVD工艺温度低(最低可低至80℃),在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度基本无影响;薄膜内部应力状态为压应力,更适于对硬质合金精密复杂刀具的涂层;PVD工艺对环境无不利影响。
PVD技术主要应用于整体硬质合金刀具和高速钢刀具的表面处理,且已普遍应用于硬质合金钻头、铣刀、铰刀、丝锥、异形刀具、焊接刀具等的涂层处理。
用CVD法涂层时,切削刃需预先进行钝化处理(钝圆半径一般为0.02~0.08mm,切削刃强度随钝圆半径增大而提高),故刃口没有未涂层刀片锋利。所以,对精加工产生薄切屑、要求切削刃锋利的刀具应采用PVD法。
涂层除可涂覆在普通切削刀片上外,还可涂覆到整体刀具上,已发展到涂覆在焊的硬质合金刀具上。据报道,国外某公司在焊接式的硬质合金钻头上采用了PCVD法,结果使加工钢料时的钻头寿命比高速钢钻头长10倍,效率提高5倍。
参考资料:百度百科——涂层刀具技术
百度百科——涂层刀具
pvd与cvd的相似点与不同点
CVD的优缺点: 优点:CVD制备所得到的薄膜或材料一般纯度很高,很致密,而且容易形成结晶定向好的材料;能在较低温度下制备难容物质;便于制备各种但是或化合物材料以及各种复合材料。 缺点:需要在高温下反应,基片温度高,沉积速率较低,使用设备复杂,集体难于进行局部沉积,参加反应的源和反应后的余气都有一定的毒性 (PVD需在较低的压力下进行,沉积率几乎100%.CVD在相对较高的压力下进行.PVD具有方向性和阴影效应,CVD薄膜可以被均匀地涂覆在复杂零件的表面上,而较少受到阴影效应的限制.CV可以有效地控制薄膜的化学成分,高的生产效率和低的设备及运行成.与其他相关工艺具有较好的相容性.)太阳能芯片(Si)单晶工艺和多晶工艺的差别在哪里?以及什么原因导致的差别?
单晶硅和多晶硅的区别是,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了,一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高,硅的纯度必须达到九个9。目前,人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。 多晶硅的生产工艺主要由高纯石英(经高温焦碳还原)下一篇
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