P沟道MOS管栅源电压VGS最大电压？

pmos的vgs是什么电压？

Vgs是栅极相对于源极的电压。

与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：

|VGS|>|VTP (PMOS)|，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。

扩展资料

PMOS工作原理——

因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。

当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

P-MOS管它的手册如下，想问的是他的VGS=±20V，意思是不能超出±20V吗？

是的，这是器件能承受的最高电压了，一旦超出就可能造成不可逆的损坏。 好好学习天天向上

MOS管如何使用？

1. MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。
   

2. 这个说的对。

3. Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一般是±20V，使用时不能超过。

4. 和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样，都会截止。

5. 对。

6. 选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。

7. 由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。
   

mos管gs开启电压最大最小

最大20瓦，最小12瓦。根据查询国家标准《安全电压》信息显示，mos管的导通起控电压为2到4瓦，GS极之间最高电压不能超过20瓦，GS两极之间接入最低12到15瓦，所以mos管开启电压最大值为20瓦，GS最小值为12瓦。

P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通?

P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情： 当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。 还有一件事情就是G和S之间的最大耐压，元器件手册上有说明。 最后就是G和S之间容许通过的最大电流，这个元器件手册上写的也很清楚。 说的够明白了。